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HTMN5130SSD-13

HTMN5130SSD-13

HTMN5130SSD-13

MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

compliant

HTMN5130SSD-13 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $1.00780 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 55V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.6A
rds activé (max) à id, vgs 130mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8.9nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 218.7pF @ 25V
puissance - max 1.7W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SO
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Numéro de pièce associé

HUF75637S3
SLA5065
SLA5065
$0 $/morceau
ALD212900ASAL
FDMC8200S
FDMC8200S
$0 $/morceau
FDMD8560L
FDMD8560L
$0 $/morceau
IRF7351TRPBF
SI4340CDY-T1-E3
2SK3704-CB11
2SK3704-CB11
$0 $/morceau
PMDPB38UNE,115
PMDPB38UNE,115
$0 $/morceau
IPG20N06S4L26AATMA1

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