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PMDPB38UNE,115

PMDPB38UNE,115

PMDPB38UNE,115

NXP USA Inc.

MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

non conforme

PMDPB38UNE,115 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.08000 $0.08
500 $0.0792 $39.6
1000 $0.0784 $78.4
1500 $0.0776 $116.4
2000 $0.0768 $153.6
2500 $0.076 $190
77975 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A
rds activé (max) à id, vgs 46mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.4nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 268pF @ 10V
puissance - max 510mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-UDFN Exposed Pad
package d'appareils du fournisseur 6-HUSON (2x2)
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Numéro de pièce associé

IPG20N06S4L26AATMA1
SI4559ADY-T1-GE3
FD6M033N06
IAUC60N04S6L045HATMA1
NTZD5110NT1G
NTZD5110NT1G
$0 $/morceau
IRFH4253DTRPBF
AON6980
SQJ560EP-T1_BE3
DMN63D1LDW-7

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