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ZXMN10A08E6QTA

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ZXMN10A08E6QTA

MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R

non conforme

ZXMN10A08E6QTA Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.39173 $0.39173
500 $0.3878127 $193.90635
1000 $0.3838954 $383.8954
1500 $0.3799781 $569.96715
2000 $0.3760608 $752.1216
2500 $0.3721435 $930.35875
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 250mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 405 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.1W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-26
paquet / étui SOT-23-6
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Numéro de pièce associé

PMCM650VNEZ
PMCM650VNEZ
$0 $/morceau
2SK1290-AZ
FQPF2N60C
FQPF2N60C
$0 $/morceau
IRLHS6342TRPBF
SQA405CEJW-T1_GE3
SQJ456EP-T1_GE3
DMP31D7LT-13
STI14NM50N
STI14NM50N
$0 $/morceau
SIHFU310-GE3
SIHFU310-GE3
$0 $/morceau
SISS61DN-T1-GE3

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