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BSO615N

BSO615N

BSO615N

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

BSO615N Fiche de données

non conforme

BSO615N Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.6A
rds activé (max) à id, vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 2V @ 20µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 380pF @ 25V
puissance - max 2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur PG-DSO-8
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Numéro de pièce associé

SI5515DC-T1-GE3
NTJD3158CT2G
NTJD3158CT2G
$0 $/morceau
NTHC5513T1
NTHC5513T1
$0 $/morceau
NTJD4401NT4G
NTJD4401NT4G
$0 $/morceau
SI5935DC-T1-GE3
SI6967DQ-T1-E3
SI6967DQ-T1-E3
$0 $/morceau
IRF7338TRPBF
PMV50ENEA,215
PMV50ENEA,215
$0 $/morceau
SI6983DQ-T1-E3
SI6983DQ-T1-E3
$0 $/morceau
SI6975DQ-T1-GE3

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