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IPG20N06S2L35ATMA1

IPG20N06S2L35ATMA1

IPG20N06S2L35ATMA1

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

compliant

IPG20N06S2L35ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.52917 -
10,000 $0.50927 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 55V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A
rds activé (max) à id, vgs 35mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 27µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 790pF @ 25V
puissance - max 65W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerVDFN
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-4
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Numéro de pièce associé

EM6M2T2R
EM6M2T2R
$0 $/morceau
DMC4028SSD-13
DMN3190LDW-13
PJQ4602_R1_00001
SQJ946EP-T1_GE3
ALD310704APCL
ALD110900APAL
SH8K26GZ0TB
SH8K26GZ0TB
$0 $/morceau
SI1035X-T1-GE3
SI1035X-T1-GE3
$0 $/morceau
SI7900AEDN-T1-GE3

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