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IPP80N06S2L09AKSA2

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MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

non conforme

IPP80N06S2L09AKSA2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
500 $0.93612 $468.06
27000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 55 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.5mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 125µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2620 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 190W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO220-3-1
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

BSS138BKWT106
RQ5E030RPTL
RQ5E030RPTL
$0 $/morceau
NVBLS1D7N08H
NVBLS1D7N08H
$0 $/morceau
GKI07113
GKI07113
$0 $/morceau
IAUT150N10S5N035ATMA1
SQD50034E_GE3
SQD50034E_GE3
$0 $/morceau
DMN4800LSS-13
MTD2N40E
MTD2N40E
$0 $/morceau
APT6029SLLG
TT8U2TR
TT8U2TR
$0 $/morceau

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