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IPT65R195G7XTMA1

IPT65R195G7XTMA1

IPT65R195G7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF

SOT-23

non conforme

IPT65R195G7XTMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,000 $1.70806 -
6,000 $1.64384 -
1732 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 14A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 195mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 240µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 996 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 97W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-HSOF-8-2
paquet / étui 8-PowerSFN
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Numéro de pièce associé

SISH617DN-T1-GE3
AON6162
NTHS5443T1
NTHS5443T1
$0 $/morceau
IPT60R050G7XTMA1
HUFA76407D3S
SUD80460E-GE3
SUD80460E-GE3
$0 $/morceau
AOI4S60
PMT200EPEX
PMT200EPEX
$0 $/morceau
IXFA80N25X3-TRL
IXFA80N25X3-TRL
$0 $/morceau
SI4634DY-T1-GE3

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