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IPW65R190C7XKSA1

IPW65R190C7XKSA1

IPW65R190C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3

SOT-23

non conforme

IPW65R190C7XKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
240 $2.93825 $705.18
480 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 13A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 190mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 290µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1150 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 72W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO247-3
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

NVH4L020N120SC1
NVH4L020N120SC1
$0 $/morceau
IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV
$0 $/morceau
IRFR014TRPBF
IRFR014TRPBF
$0 $/morceau
IRFP9240
IRFP9240
$0 $/morceau
PJL9438A_R2_00001
IPD50N03S2L06ATMA1
PSMN012-25YLC,115
PSMN012-25YLC,115
$0 $/morceau
IXFK44N50P
IXFK44N50P
$0 $/morceau

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