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IXFT50N30Q3

IXFT50N30Q3

IXFT50N30Q3

IXYS

MOSFET N-CH 300V 50A TO268

SOT-23

non conforme

IXFT50N30Q3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $11.68000 $11.68
30 $9.57367 $287.2101
120 $8.63950 $1036.74
510 $7.23851 $3691.6401
1,020 $6.53800 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 300 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 50A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 80mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) à id 6.5V @ 4mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3165 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 690W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-268AA
paquet / étui TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Numéro de pièce associé

HUF76437S3S
SPD30N03S2L-07 G
SISA10DN-T1-GE3
2SK3707-1E
2SK3707-1E
$0 $/morceau
BUK752R7-60E,127
BUK752R7-60E,127
$0 $/morceau
FDMS0310AS
FDMS0310AS
$0 $/morceau
IPI040N06N3GXKSA1
DMP21D2UFA-7B
CSD23382F4
CSD23382F4
$0 $/morceau

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