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IXTA08N100P

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IXTA08N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263

non conforme

IXTA08N100P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
50 $1.70000 $85
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1000 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 800mA (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 20Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 50µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 240 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 42W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263AA
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

STB18N60M6
STB18N60M6
$0 $/morceau
FQI27N25TU
STW19NM50N
STW19NM50N
$0 $/morceau
IXTQ36N30P
IXTQ36N30P
$0 $/morceau
APT1201R6SVFRG
DMP3026SFDE-13
LND01K1-G
LND01K1-G
$0 $/morceau
FQD2N80TM
FQD2N80TM
$0 $/morceau
NTD4959NHT4G
NTD4959NHT4G
$0 $/morceau
DMN3028LQ-7
DMN3028LQ-7
$0 $/morceau

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