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IXTA80N10T

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 80A TO263

compliant

IXTA80N10T Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.88000 $2.88
50 $2.32500 $116.25
100 $2.09250 $209.25
500 $1.62750 $813.75
1,000 $1.34850 -
2,500 $1.30200 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 14mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 100µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3040 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 230W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263AA
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

STB20NM60T4
STB20NM60T4
$0 $/morceau
PSMN0R9-30YLDX
TP0606N3-G
TP0606N3-G
$0 $/morceau
R6520KNZ4C13
R6520KNZ4C13
$0 $/morceau
SI7478DP-T1-E3
SI7478DP-T1-E3
$0 $/morceau
RM1A5N30S3AE
RM1A5N30S3AE
$0 $/morceau
UF3C065030B3
UF3C065030B3
$0 $/morceau
IPP80N06S2LH5AKSA2
BUK9Y3R0-40E,115

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