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IXTP12N70X2

IXTP12N70X2

IXTP12N70X2

IXYS

MOSFET N-CH 700V 12A TO220AB

compliant

IXTP12N70X2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.30500 $4.305
500 $4.26195 $2130.975
1000 $4.2189 $4218.9
1500 $4.17585 $6263.775
2000 $4.1328 $8265.6
2500 $4.08975 $10224.375
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 700 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 300mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 960 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 180W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

NVTFS007N08HLTAG
NVTFS007N08HLTAG
$0 $/morceau
NTDV5805NT4G
NTDV5805NT4G
$0 $/morceau
SI4838BDY-T1-GE3
IGO60R070D1AUMA1
STU7NF25
STU7NF25
$0 $/morceau
FDD4141
FDD4141
$0 $/morceau
IXTY02N120P
IXTY02N120P
$0 $/morceau
SQJ160EP-T1_GE3
SIHU7N60E-GE3
SIHU7N60E-GE3
$0 $/morceau

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