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VWM200-01P

VWM200-01P

VWM200-01P

IXYS

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

non conforme

VWM200-01P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 210A
rds activé (max) à id, vgs 5.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 2mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 430nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max -
température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
paquet / étui V2-PAK
package d'appareils du fournisseur V2-PAK
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Numéro de pièce associé

IXTL2X200N085T
IXTL2X200N085T
$0 $/morceau
FDC6301N_G
FDC6301N_G
$0 $/morceau
APTM60A23FT1G
2N7002DWKX-13
FMP76-010T
FMP76-010T
$0 $/morceau
IPG20N04S409AATMA1
FS03MR12A6MA1LB
MCH6606-TL-E
MCH6606-TL-E
$0 $/morceau

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