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DN2625DK6-G

DN2625DK6-G

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MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN

SOT-23

non conforme

DN2625DK6-G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.56000 $2.56
25 $2.13200 $53.3
100 $1.96110 $196.11
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Depletion Mode
Tension drain-source (vdss) 250V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.1A
rds activé (max) à id, vgs 3.5Ohm @ 1A, 0V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.04nC @ 1.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1000pF @ 25V
puissance - max -
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-VDFN Exposed Pad
package d'appareils du fournisseur 8-DFN (5x5)
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Numéro de pièce associé

SI3993CDV-T1-GE3
SQJB04ELP-T1_GE3
SIS932EDN-T1-GE3
IRF7103TRPBF
SI6562CDQ-T1-GE3
SI3900DV-T1-E3
SI3900DV-T1-E3
$0 $/morceau
PJQ4848P_R2_00001
AOSD21313C
AOC2870
PJQ5846_R2_00001

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