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DN3765K4-G

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MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

SOT-23

non conforme

DN3765K4-G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,000 $2.27733 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 300mA (Tj)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 0V
rds activé (max) à id, vgs 8Ohm @ 150mA, 0V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 825 pF @ 25 V
fonctionnalité FET Depletion Mode
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252, (D-Pak)
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

NVH4L020N090SC1
NVH4L020N090SC1
$0 $/morceau
IRF2907ZPBF
VN0106N3-G-P003
RQ5E050ATTCL
RQ5E050ATTCL
$0 $/morceau
SI4483ADY-T1-GE3
IXTA08N100P
IXTA08N100P
$0 $/morceau
STB18N60M6
STB18N60M6
$0 $/morceau
FQI27N25TU
STW19NM50N
STW19NM50N
$0 $/morceau
IXTQ36N30P
IXTQ36N30P
$0 $/morceau

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