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VN0106N3-G-P003

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VN0106N3-G-P003

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

SOT-23

non conforme

VN0106N3-G-P003 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,000 $0.53560 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 350mA (Tj)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.4V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 65 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-92-3
paquet / étui TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
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Numéro de pièce associé

RQ5E050ATTCL
RQ5E050ATTCL
$0 $/morceau
SI4483ADY-T1-GE3
IXTA08N100P
IXTA08N100P
$0 $/morceau
STB18N60M6
STB18N60M6
$0 $/morceau
FQI27N25TU
STW19NM50N
STW19NM50N
$0 $/morceau
IXTQ36N30P
IXTQ36N30P
$0 $/morceau
APT1201R6SVFRG
DMP3026SFDE-13
LND01K1-G
LND01K1-G
$0 $/morceau

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