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BUK9E08-55B,127

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NEXPERIA BUK9E08-55B - 75A, 55V,

compliant

BUK9E08-55B,127 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.72000 $1.72
50 $1.37500 $68.75
100 $1.20300 $120.3
500 $0.93298 $466.49
1,000 $0.73656 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 55 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 75A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 5 V
vgs (max) ±15V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5280 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 203W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur I2PAK
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

IXFK64N60P
IXFK64N60P
$0 $/morceau
SQJQ100EL-T1_GE3
SPU03N60S5IN
PSMN3R9-60PSQ
PSMN3R9-60PSQ
$0 $/morceau
SIHG35N60E-GE3
SIHG35N60E-GE3
$0 $/morceau
CSD18511KTT
CSD18511KTT
$0 $/morceau
NVTYS007N04CTWG
NVTYS007N04CTWG
$0 $/morceau
SIS412DN-T1-GE3
STN1HNK60
STN1HNK60
$0 $/morceau
FDP038AN06A0
FDP038AN06A0
$0 $/morceau

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