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FDS89141

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onsemi

MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC

FDS89141 Fiche de données

non conforme

FDS89141 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.74980 -
5,000 $0.71438 -
12,500 $0.68908 -
3 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.5A
rds activé (max) à id, vgs 62mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.1nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 398pF @ 50V
puissance - max 1.6W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

DMP2090UFDB-7
PJQ5844_R2_00001
6LN04CH-TL-E
6LN04CH-TL-E
$0 $/morceau
MSCSM120AM02CT6LIAG
SIZ720DT-T1-GE3
SQJ204EP-T1_GE3
BSG0811NDATMA1
ALD212900SAL
SIB912DK-T1-GE3

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