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NTGS3441BT1G

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP

non conforme

NTGS3441BT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.10000 $0.1
500 $0.099 $49.5
1000 $0.098 $98
1500 $0.097 $145.5
2000 $0.096 $192
2500 $0.095 $237.5
48750 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.2A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 90mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 900mV @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 630 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 700mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Numéro de pièce associé

IPA60R190C6XKSA1
2N7002,235
2N7002,235
$0 $/morceau
PSMN2R0-25MLDX
IXTQ50N25T
IXTQ50N25T
$0 $/morceau
DN3765K4-G
DN3765K4-G
$0 $/morceau
NVH4L020N090SC1
NVH4L020N090SC1
$0 $/morceau
IRF2907ZPBF
VN0106N3-G-P003
RQ5E050ATTCL
RQ5E050ATTCL
$0 $/morceau
SI4483ADY-T1-GE3

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