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NTMFS4H02NT3G

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onsemi

MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN

non conforme

NTMFS4H02NT3G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $1.97120 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Last Time Buy
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 25 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 37A (Ta), 193A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 38.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2651 pF @ 12 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.13W (Ta), 83W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquet / étui 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Numéro de pièce associé

SIHP22N60EF-GE3
SIHJ10N60E-T1-GE3
FDS7760A
FCD600N60Z
FCD600N60Z
$0 $/morceau
AOD403
PSMN4R4-30MLC,115
SIHG105N60EF-GE3
NVMFS4C03NWFT1G
NVMFS4C03NWFT1G
$0 $/morceau
IRFHM9331TRPBF
IXKH35N60C5
IXKH35N60C5
$0 $/morceau

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