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PJP100P03_T0_00001

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30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

SOT-23

non conforme

PJP100P03_T0_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.37000 $1.37
500 $1.3563 $678.15
1000 $1.3426 $1342.6
1500 $1.3289 $1993.35
2000 $1.3152 $2630.4
2500 $1.3015 $3253.75
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15.8A (Ta), 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 107 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 6067 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2W (Ta), 119W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220AB
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

DMG2302UKQ-13
NTP7D3N15MC
NTP7D3N15MC
$0 $/morceau
ZXMN7A11KTC
ZXMN7A11KTC
$0 $/morceau
MCH6627-TL-E
MCH6627-TL-E
$0 $/morceau
SIR826ADP-T1-GE3
NTHS4111PT1
NTHS4111PT1
$0 $/morceau
IPA80R1K2P7XKSA1
IRFP254PBF
IRFP254PBF
$0 $/morceau
DMP1012UCB9-7

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