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PJS6602_S2_00001

PJS6602_S2_00001

PJS6602_S2_00001

20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO

compliant

PJS6602_S2_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.49000 $0.49
500 $0.4851 $242.55
1000 $0.4802 $480.2
1500 $0.4753 $712.95
2000 $0.4704 $940.8
2500 $0.4655 $1163.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel Complementary
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.2A (Ta), 3.4A (Ta)
rds activé (max) à id, vgs 36mOhm @ 5.2A, 4.5V, 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.1nC @ 4.5V, 7nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 396pF @ 10V, 522pF @ 10V
puissance - max 1.25W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6
package d'appareils du fournisseur SOT-23-6
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Numéro de pièce associé

MRF8S9170NR3,528
MRF8S9170NR3,528
$0 $/morceau
SI3900DV-T1-GE3
DMC2710UDWQ-13
MC7252KDW-TP
SISF20DN-T1-GE3
SH8K10SGZETB
SH8K10SGZETB
$0 $/morceau
PMDPB30XN,115
PMDPB30XN,115
$0 $/morceau
CSD83325LT
CSD83325LT
$0 $/morceau
SIZF928DT-T1-GE3

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