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RM2003

RM2003

RM2003

Rectron USA

MOSFET N&P-CH 20V 3A SOT23-6

RM2003 Fiche de données

non conforme

RM2003 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.06200 $0.062
500 $0.06138 $30.69
1000 $0.06076 $60.76
1500 $0.06014 $90.21
2000 $0.05952 $119.04
2500 $0.0589 $147.25
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3A (Ta)
rds activé (max) à id, vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V, 75mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5nC @ 4.5V, 3.2nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 260pF @ 10V, 325pF @ 10V
puissance - max 800mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6
package d'appareils du fournisseur SOT-23-6
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Numéro de pièce associé

APTM10TAM09FPG
APTC60BBM24T3G
SIR770DP-T1-GE3
NTHD3102CT1G
NTHD3102CT1G
$0 $/morceau
ZXMC3A16DN8TA
SI4946BEY-T1-GE3
EMH2308-TL-E
EMH2308-TL-E
$0 $/morceau
SQJB80EP-T1_BE3
BUK9K13-60EX
BUK9K13-60EX
$0 $/morceau
IRF7389PBF

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