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HAT2172N-EL-E

HAT2172N-EL-E

HAT2172N-EL-E

MOSFET N-CH 40V 30A 8LFPAK

non conforme

HAT2172N-EL-E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.71000 $1.71
500 $1.6929 $846.45
1000 $1.6758 $1675.8
1500 $1.6587 $2488.05
2000 $1.6416 $3283.2
2500 $1.6245 $4061.25
27200 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 7.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2420 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 20W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-LFPAK-iV
paquet / étui 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Numéro de pièce associé

SISH108DN-T1-GE3
DMN65D8LV-7
DMN65D8LV-7
$0 $/morceau
P3M17040K4
APT10021JFLL
MSC100SM70JCU3
BUK9609-40B,118
AUIRLR2905ZTRL
FDY300NZ
FDY300NZ
$0 $/morceau
SUD23N06-31L-T4-E3
PJQ5465A_R2_00001

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