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RJK6015DPK-00#T0

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MOSFET N-CH 600V 21A TO3P

non conforme

RJK6015DPK-00#T0 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 21A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 360mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2600 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 150W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-3P
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

NVD5413NT4G
NVD5413NT4G
$0 $/morceau
BSC027N03S G
IRL3803S
IRL3803S
$0 $/morceau
IRFU220BTU-AM002
IRFU220BTU-AM002
$0 $/morceau
IPD80R2K8CEBTMA1
IRLS3034-7PPBF
IRLR4343TRR
NTB75N03-06T4
NTB75N03-06T4
$0 $/morceau
FDMS86568-F085
FDMS86568-F085
$0 $/morceau
IPP057N08N3GHKSA1

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