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EM6M1T2R

EM6M1T2R

EM6M1T2R

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

EM6M1T2R Fiche de données

non conforme

EM6M1T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.14500 -
16,000 $0.14000 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V, 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 100mA, 200mA
rds activé (max) à id, vgs 8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.9nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 13pF @ 5V
puissance - max 150mW
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

HCT802
IRF7341QTRPBF
DMN5L06VA-7
DMN5L06VA-7
$0 $/morceau
IRF7379PBF
IPB080N03LG
NDS9942
NDS9942
$0 $/morceau
SI4562DY-T1-E3
SI4562DY-T1-E3
$0 $/morceau
SI6993DQ-T1-GE3
SI1016X-T1-E3
SI1016X-T1-E3
$0 $/morceau
SI4814BDY-T1-E3

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