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QS8M12TCR

QS8M12TCR

QS8M12TCR

MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

QS8M12TCR Fiche de données

non conforme

QS8M12TCR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.31175 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A
rds activé (max) à id, vgs 42mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 3.4nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 250pF @ 10V
puissance - max 1.5W
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur TSMT8
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Numéro de pièce associé

VEC2616-TL-H-Z
VEC2616-TL-H-Z
$0 $/morceau
AON6970
SI4276DY-T1-GE3
AO4932
HUFA76407DK8TF085P
HUFA76407DK8TF085P
$0 $/morceau
AO8822#A
BSL205NL6327HTSA1
SI8900EDB-T2-E1
AO4619
SI4228DY-T1-E3
SI4228DY-T1-E3
$0 $/morceau

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