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R6530ENZ4C13

R6530ENZ4C13

R6530ENZ4C13

650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER

non conforme

R6530ENZ4C13 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $7.18000 $7.18
500 $7.1082 $3554.1
1000 $7.0364 $7036.4
1500 $6.9646 $10446.9
2000 $6.8928 $13785.6
2500 $6.821 $17052.5
486 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 140mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 960µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2100 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 305W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247G
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

SIHP28N65EF-GE3
SUM60020E-GE3
SUM60020E-GE3
$0 $/morceau
IRFI9630GPBF
IRFI9630GPBF
$0 $/morceau
IXTA102N15T-TRL
IXTA102N15T-TRL
$0 $/morceau
SI3458BDV-T1-E3
SI3456DDV-T1-E3
DMP2305UVT-7
AO4419
NTD20N06L-001
NTD20N06L-001
$0 $/morceau

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