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R8008ANJGTL

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NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008

non conforme

R8008ANJGTL Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $6.10000 $6.1
500 $6.039 $3019.5
1000 $5.978 $5978
1500 $5.917 $8875.5
2000 $5.856 $11712
2500 $5.795 $14487.5
1000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.03Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1100 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 195W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263S
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

STH47N60DM6-2AG
IXFP20N50P3
IXFP20N50P3
$0 $/morceau
HUF75343S3
HUF75343S3
$0 $/morceau
STF35N60DM2
STF35N60DM2
$0 $/morceau
IXFX300N20X3
IXFX300N20X3
$0 $/morceau
ZXMN10A08E6QTA
PMCM650VNEZ
PMCM650VNEZ
$0 $/morceau
2SK1290-AZ
FQPF2N60C
FQPF2N60C
$0 $/morceau

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