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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Obsolete |
type de FET | P-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 30 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 7.5A (Ta) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 4V, 10V |
rds activé (max) à id, vgs | 21mOhm @ 7.5A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 2.5V @ 1mA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 30 nC @ 5 V |
vgs (max) | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 2900 pF @ 10 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 2W (Ta) |
température de fonctionnement | 150°C |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
paquet / étui | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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