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TPS1120DR

TPS1120DR

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MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

TPS1120DR Fiche de données

compliant

TPS1120DR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.90580 -
1749 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 15V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.17A
rds activé (max) à id, vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5.45nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 840mW
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SI4210DY-T1-GE3
QH8KB6TCR
QH8KB6TCR
$0 $/morceau
FDC6318P
FDC6318P
$0 $/morceau
CAR600M12HN6
CAR600M12HN6
$0 $/morceau
PJL9812_R2_00001
ECH8668-TL-H
ECH8668-TL-H
$0 $/morceau
PMV55ENEA,215
PMV55ENEA,215
$0 $/morceau
EFC4626R-TR
EFC4626R-TR
$0 $/morceau
PJS6601_S2_00001
NDS8934
NDS8934
$0 $/morceau

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