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IRF830ASPBF

IRF830ASPBF

IRF830ASPBF

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

compliant

IRF830ASPBF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.30000 $2.3
500 $2.277 $1138.5
1000 $2.254 $2254
1500 $2.231 $3346.5
2000 $2.208 $4416
2500 $2.185 $5462.5
806 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.4Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 620 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IPW60R145CFD7XKSA1
FSS163-TL-E
FSS163-TL-E
$0 $/morceau
DMN10H170SK3-13
FQP9P25
FQP9P25
$0 $/morceau
FQP6P25
FQP6P25
$0 $/morceau
SIE810DF-T1-E3
SIE810DF-T1-E3
$0 $/morceau
IRFF221
IRFF221
$0 $/morceau

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