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SI4330DY-T1-E3

SI4330DY-T1-E3

SI4330DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC

non conforme

SI4330DY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.6A
rds activé (max) à id, vgs 16.5mOhm @ 8.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

ZXMD63P02XTA
AON7932
AO8801AL
SP8J65TB1
SP8J65TB1
$0 $/morceau
BSO615N
BSO615N
$0 $/morceau
SI5515DC-T1-GE3
NTJD3158CT2G
NTJD3158CT2G
$0 $/morceau
NTHC5513T1
NTHC5513T1
$0 $/morceau
NTJD4401NT4G
NTJD4401NT4G
$0 $/morceau

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