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SI4505DY-T1-E3

SI4505DY-T1-E3

SI4505DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

non conforme

SI4505DY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.61600 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V, 8V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A, 3.8A
rds activé (max) à id, vgs 18mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.8V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SI7872DP-T1-E3
SI7872DP-T1-E3
$0 $/morceau
FC8V33030L
FCB20N60F
SI4914DY-T1-E3
SI4914DY-T1-E3
$0 $/morceau
APTC60AM242G
SI1958DH-T1-E3
SI1958DH-T1-E3
$0 $/morceau
NVMFD5877NLWFT3G
NVMFD5877NLWFT3G
$0 $/morceau
EPC2103ENGRT
EPC2103ENGRT
$0 $/morceau
SI5947DU-T1-E3
SI5947DU-T1-E3
$0 $/morceau
AO4616L

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