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SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

non conforme

SI4914BDY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8.4A, 8A
rds activé (max) à id, vgs 21mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.7V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10.5nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 2.7W, 3.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

MMDF3N04HDR2G
MMDF3N04HDR2G
$0 $/morceau
SI4214DY-T1-GE3
STS3DNE60L
STS3DNE60L
$0 $/morceau
NVTJD4001NT2G
NVTJD4001NT2G
$0 $/morceau
SI1563DH-T1-GE3
SI3948DV-T1-E3
SI3948DV-T1-E3
$0 $/morceau
SI4943BDY-T1-GE3
SI4940DY-T1-GE3
AUIRF7319QTR
IRF7309PBF

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