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SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

non conforme

SI4966DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c -
rds activé (max) à id, vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 50nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SP8J1TB
SP8J1TB
$0 $/morceau
AO8818
AO6601_001
QS8M12TCR
QS8M12TCR
$0 $/morceau
VEC2616-TL-H-Z
VEC2616-TL-H-Z
$0 $/morceau
AON6970
SI4276DY-T1-GE3
AO4932
HUFA76407DK8TF085P
HUFA76407DK8TF085P
$0 $/morceau
AO8822#A

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