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SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

compliant

SI5513CDC-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.24368 -
6,000 $0.22883 -
15,000 $0.21398 -
30,000 $0.20358 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A, 3.7A
rds activé (max) à id, vgs 55mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.2nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 285pF @ 10V
puissance - max 3.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur 1206-8 ChipFET™
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Numéro de pièce associé

SIZ260DT-T1-GE3
SQJ560EP-T1_GE3
IRF9358TRPBF
CPH6424-TL-E
CPH6424-TL-E
$0 $/morceau
FDC6401N
FDC6401N
$0 $/morceau
SP8K2TB
SP8K2TB
$0 $/morceau
NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G
$0 $/morceau
DMN2991UDA-7B
FDPC8013S
FDPC8013S
$0 $/morceau
IRL6297SDTRPBF

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