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SI7116DN-T1-GE3

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SI7116DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8

non conforme

SI7116DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.15879 -
6,000 $1.11858 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10.5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

G3R75MT12D
FDMS86581
FDMS86581
$0 $/morceau
PJS6416_S1_00001
NTE4153NT1G
NTE4153NT1G
$0 $/morceau
IAUZ40N06S5N050ATMA1
IPA60R650CEXKSA1
SI7113DN-T1-GE3
SCH1436-TL-W
SCH1436-TL-W
$0 $/morceau
HUF75339S3ST
FQD1N50TM

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