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SIHG80N60EF-GE3

SIHG80N60EF-GE3

SIHG80N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC

SOT-23

non conforme

SIHG80N60EF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $17.86000 $17.86
10 $16.30000 $163
100 $13.96140 $1396.14
500 $12.01246 $6006.23
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 32mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 400 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 6600 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 520W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

G65P06T
G65P06T
$0 $/morceau
IRFP4110PBF
STW42N65M5
STW42N65M5
$0 $/morceau
SI3415A-TP
SI3415A-TP
$0 $/morceau
IRFH5300TRPBF
SIHA12N50E-GE3
SIHA12N50E-GE3
$0 $/morceau
SPS01N60C3
APT75M50B2
APT75M50B2
$0 $/morceau
VN0550N3-G
VN0550N3-G
$0 $/morceau
RM20P30D3
RM20P30D3
$0 $/morceau

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