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RM20P30D3

RM20P30D3

RM20P30D3

Rectron USA

MOSFET P-CHANNEL 30V 20A 8DFN

SOT-23

RM20P30D3 Fiche de données

non conforme

RM20P30D3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.23000 $0.23
500 $0.2277 $113.85
1000 $0.2254 $225.4
1500 $0.2231 $334.65
2000 $0.2208 $441.6
2500 $0.2185 $546.25
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 15mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.9V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2130 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 35W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-DFN-EP (3x3)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

IPD096N08N3GBTMA1
IXTH64N10L2
IXTH64N10L2
$0 $/morceau
MSC040SMA120B4
FKI07117
FKI07117
$0 $/morceau
NVH4L040N120SC1
NVH4L040N120SC1
$0 $/morceau
SQM50N04-4M0L_GE3
SI4686DY-T1-E3
SI4686DY-T1-E3
$0 $/morceau
IPW65R190C7XKSA1
NVH4L020N120SC1
NVH4L020N120SC1
$0 $/morceau
IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV
$0 $/morceau

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