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IXTH64N10L2

IXTH64N10L2

IXTH64N10L2

IXYS

MOSFET N-CH 100V 64A TO247

SOT-23

non conforme

IXTH64N10L2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $5.58000 $167.4
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 64A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 32mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3620 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 357W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247 (IXTH)
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

MSC040SMA120B4
FKI07117
FKI07117
$0 $/morceau
NVH4L040N120SC1
NVH4L040N120SC1
$0 $/morceau
SQM50N04-4M0L_GE3
SI4686DY-T1-E3
SI4686DY-T1-E3
$0 $/morceau
IPW65R190C7XKSA1
NVH4L020N120SC1
NVH4L020N120SC1
$0 $/morceau
IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV
$0 $/morceau
IRFR014TRPBF
IRFR014TRPBF
$0 $/morceau

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