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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | N-Channel |
technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Tension drain-source (vdss) | 1200 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 66A (Tc) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 20V |
rds activé (max) à id, vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
vgs(th) (max) à id | 2.6V @ 2mA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 137 nC @ 20 V |
vgs (max) | +23V, -10V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1990 pF @ 1000 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 323W (Tc) |
température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
type de montage | Through Hole |
package d'appareils du fournisseur | TO-247-4 |
paquet / étui | TO-247-4 |
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