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IPD096N08N3GBTMA1

IPD096N08N3GBTMA1

IPD096N08N3GBTMA1

MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

SOT-23

non conforme

IPD096N08N3GBTMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.35000 $0.35
500 $0.3465 $173.25
1000 $0.343 $343
1500 $0.3395 $509.25
2000 $0.336 $672
2500 $0.3325 $831.25
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 80 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 73A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 9.6mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 46µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2410 pF @ 40 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 100W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IXTH64N10L2
IXTH64N10L2
$0 $/morceau
MSC040SMA120B4
FKI07117
FKI07117
$0 $/morceau
NVH4L040N120SC1
NVH4L040N120SC1
$0 $/morceau
SQM50N04-4M0L_GE3
SI4686DY-T1-E3
SI4686DY-T1-E3
$0 $/morceau
IPW65R190C7XKSA1
NVH4L020N120SC1
NVH4L020N120SC1
$0 $/morceau
IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV
$0 $/morceau

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