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SPS01N60C3

SPS01N60C3

SPS01N60C3

MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3

SOT-23

non conforme

SPS01N60C3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
43500 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 800mA (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 3.9V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 100 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 11W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO251-3-11
paquet / étui TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Numéro de pièce associé

APT75M50B2
APT75M50B2
$0 $/morceau
VN0550N3-G
VN0550N3-G
$0 $/morceau
RM20P30D3
RM20P30D3
$0 $/morceau
IPD096N08N3GBTMA1
IXTH64N10L2
IXTH64N10L2
$0 $/morceau
MSC040SMA120B4
FKI07117
FKI07117
$0 $/morceau
NVH4L040N120SC1
NVH4L040N120SC1
$0 $/morceau
SQM50N04-4M0L_GE3
SI4686DY-T1-E3
SI4686DY-T1-E3
$0 $/morceau

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