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SIHP20N50E-GE3

SIHP20N50E-GE3

SIHP20N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB

compliant

SIHP20N50E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.34000 $3.34
10 $3.02100 $30.21
100 $2.44630 $244.63
500 $1.92376 $961.88
1,000 $1.61025 -
3,000 $1.50575 -
5,000 $1.45350 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 19A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 184mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 92 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1640 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 179W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220AB
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

SI2300-TP
SI2300-TP
$0 $/morceau
SI7328DN-T1-E3
SI7328DN-T1-E3
$0 $/morceau
FDB045AN08A0
FDB045AN08A0
$0 $/morceau
SI6466DQ
BUK655R0-75C,127
BUK655R0-75C,127
$0 $/morceau
PHK18NQ03LT,518
RM25N30DN
RM25N30DN
$0 $/morceau
IXFK32N100X
IXFK32N100X
$0 $/morceau
BSC900N20NS3GATMA1
BUK9Y19-55B,115

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