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SQM110P06-8M9L_GE3

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MOSFET P-CH 60V 110A TO263

non conforme

SQM110P06-8M9L_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $1.66848 $1334.784
1,600 $1.53120 -
2,400 $1.42560 -
5,600 $1.37280 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 110A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7450 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 230W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263 (D²Pak)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IRLR8256TRPBF
DMP6185SEQ-13
G3R160MT17J
PJQ5450_R2_00001
R6530ENZ4C13
R6530ENZ4C13
$0 $/morceau
SIHP28N65EF-GE3
SUM60020E-GE3
SUM60020E-GE3
$0 $/morceau
IRFI9630GPBF
IRFI9630GPBF
$0 $/morceau
IXTA102N15T-TRL
IXTA102N15T-TRL
$0 $/morceau

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