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SUD08P06-155L-BE3

SUD08P06-155L-BE3

SUD08P06-155L-BE3

MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK

compliant

SUD08P06-155L-BE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.05000 $1.05
500 $1.0395 $519.75
1000 $1.029 $1029
1500 $1.0185 $1527.75
2000 $1.008 $2016
2500 $0.9975 $2493.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8.2A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 155mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 450 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252AA
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IRFI9Z34GPBF
IRFI9Z34GPBF
$0 $/morceau
FDMS3006SDC
FDMS3006SDC
$0 $/morceau
BSZ025N04LSATMA1
IRLS3034TRLPBF
IRFPC60PBF
IRFPC60PBF
$0 $/morceau
STH320N4F6-6
STH320N4F6-6
$0 $/morceau
FQPF6N70
PSMN6R0-25YLD115
PSMN6R0-25YLD115
$0 $/morceau
NTMFS4C06NBT1G
NTMFS4C06NBT1G
$0 $/morceau
SIHP20N50E-GE3
SIHP20N50E-GE3
$0 $/morceau

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