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AONR36368

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MOSFET N-CH 30V 23A/32A 8DFN

AONR36368 Fiche de données

non conforme

AONR36368 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.17386 $0.17386
500 $0.1721214 $86.0607
1000 $0.1703828 $170.3828
1500 $0.1686442 $252.9663
2000 $0.1669056 $333.8112
2500 $0.165167 $412.9175
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 23A (Ta), 32A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1305 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 4.1W (Ta), 24W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-DFN-EP (3x3)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

R6015KNXC7G
R6015KNXC7G
$0 $/morceau
BSC030N03LSGATMA1
SI4894BDY-T1-GE3
IXTA10N60P
IXTA10N60P
$0 $/morceau
G65P06K
G65P06K
$0 $/morceau
IPB80N04S4L04ATMA1
MTB10N40ET4
MTB10N40ET4
$0 $/morceau
FDP6035L
PSMN018-100ESFQ

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