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FDP6035L

FDP6035L

FDP6035L

N-CHANNEL POWER MOSFET

SOT-23

FDP6035L Fiche de données

non conforme

FDP6035L Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.75000 $0.75
500 $0.7425 $371.25
1000 $0.735 $735
1500 $0.7275 $1091.25
2000 $0.72 $1440
2500 $0.7125 $1781.25
3250 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 58A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 11mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1230 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 75W (Tc)
température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220-3
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

PSMN018-100ESFQ
SI2343DS-T1-E3
SI2343DS-T1-E3
$0 $/morceau
IPP80N06S2L09AKSA2
BSS138BKWT106
RQ5E030RPTL
RQ5E030RPTL
$0 $/morceau
NVBLS1D7N08H
NVBLS1D7N08H
$0 $/morceau
GKI07113
GKI07113
$0 $/morceau
IAUT150N10S5N035ATMA1
SQD50034E_GE3
SQD50034E_GE3
$0 $/morceau

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