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IXTA10N60P

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 10A TO263

non conforme

IXTA10N60P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
50 $2.34000 $117
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 740mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 5.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1610 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 200W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263AA
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

G65P06K
G65P06K
$0 $/morceau
IPB80N04S4L04ATMA1
MTB10N40ET4
MTB10N40ET4
$0 $/morceau
FDP6035L
PSMN018-100ESFQ
SI2343DS-T1-E3
SI2343DS-T1-E3
$0 $/morceau
IPP80N06S2L09AKSA2
BSS138BKWT106
RQ5E030RPTL
RQ5E030RPTL
$0 $/morceau

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